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新型三维沟槽电极探测器的研制及产业化 2022年01月18日 10:31 浏览量:[]次

所属领域:新一代信息技术

成果形式:新技术

成熟度:试生产或应用阶段

拟采取的转化方式:技术转让

联系人:李正

成果简介:新型三维电极硅探测器高端芯片,具有超快响应时间,强抗辐照能力,能实现X射线成像等特点,该探测器是唯一能够探测高重频率(≥433 MHz)、超快、超亮XFEL(X射线自由电子激光器)的探测器结构。对生物医药、新材料、新能源、行星与天体、聚变能源、X射线成像、大型科学装置、武器物理、战略核武器安全和新型战略武器都有重大的意义,是我国战略发展和战略安全的重大需求。相关产品技术指标应达到国际领先水平。具体指标如下:

(1)最小响应时间≤ 500 ps;(2)最小深宽比≥ 20:1;

(3)最大非灵敏区域≤ 10%;(4)抗辐照能力≥ 1016 n/cm2

(5)位置分辨率≤ 150 μm。


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